受实验室邀请，欧洲电力电子中心主席、德国科学院院士、Infineon公司顾问Leo Lorenz教授，于8月8日至10日到访我校，为我校师生带来了《Advanced Power Semiconductor Devices, challenges and solutions in Applications》（现代功率半导体器件及其在应用中面临的挑战和解决方案）的系列课程。
课程内容包括Introduction（综述）、Basic Understanding of Power Semiconductor Device Physics（功率半导体器件物理基础）、Power Semiconductors（功率半导体应用）等三个部分。在本期的三天课程中，Lorenz教授主要讲解了前两部分的内容。在第一部分中，他讲授了关键功率器件（Diode, MOSFET, IGBT）的概念和基本电气特性，并由功率器件的电气特性推导出实际功率电路电感设计和驱动电路设计的基本原则，在此基础上他以HITFET的过流、过温、过压、短路和ESD保护功能为例介绍了近年来流行的智能集成功率模块。在第二部分中，Lorenz教授从半导体物理学的层面讲解了Si、SiC等半导体材料的特性，掺杂、PN结、载流子调制的概念，MOSFET和IGBT由于材料和掺杂浓度所带来的电气性能差异。
据了解，第三部分的内容将于第二期课程讲授，第二期课程的时间为9月17-19日，上午8:00到12:00，地点为西九楼502报告厅。这一部分的课程将主要探讨各类功率器件的应用。
Leo Lorenz教授简介：
Leo Lorenz教授是欧洲电力电子中心主席、德国科学院院士、IEEE-fellow、Infineon公司顾问、CT-Concept公司顾问、德国政府科技顾问、伊尔梅瑙(Ilmenau)工业大学荣誉教授，电力电子领域国际著名专家。
长期从事功率器件、智能功率集成电路和功率集成模块的研究和开发工作，取得了多项具有里程碑的研究成果。他是等离子体调制集成功率模块如IGBT和超快单极性器件等关键技术的倡导者和领导者，在整个快速开关功率器件及其在电力电子变换装置的应用等方面获得了很多引领世界潮流的发明。他的这些发明使得Infineon公司在全球功率半导体器件和智能功率集成电路方面排名第一。
